DOI:10.1002/inf2.12251图1二维多孔Co-Ni/Ni3N纳米片结构的合成过程示意图InfoMat：全国从预引晶策略研究单层二硒化钨全膜的高性能电子学和光电子学二硒化钨(WSe2)在电子学、全国光电子学和新兴激子物理方面具有非凡的电子性能。
然而，代表这些碳材料的非极性特征意味着相互作用不足以完全消除多硫化物的穿梭。实验结果表明，张新具有这些特性的正极能够提供高可逆容量，张新优异的倍率性能和稳定的循环性能，即使在硫载量高达85 wt.%的实际情况下也能实现上述性能。
其中，建设N掺杂多层碳网络具有较大的比面积和分层孔隙，实现了高硫载量。同时，互联由于N掺杂的多孔结构和额外的化学吸附位点，N掺杂衬底也提供了必要的物理吸附。文献链接：开辟空间AFe3N/carboncompositeelectrocatalystforeffectivepolysulfidesregulationinroomtemperatureNa-Sbatteries(NatureCommun.，开辟空间2021，10.1038/s41467-021-26631-y)本文由材料人CYM编译供稿。
受益于这些结构和组成优势，市场最终实现了85wt.%(2.6mgcm-2 )的高硫载量。 这些问题通常由包括硫及其放电产物的绝缘性、全国固体硫与钠的缓慢电化学反应、全国多硫化物在电解液中的高溶解度以及在充/放电过程中巨大的体积膨胀在内的多种因素引发。
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